专攻非挥发性铁电随机存取内存(FRAM)的Ramtron国际公司，日前发表业界第一款4兆位 (Mb)的FRAM内存－FM22L16，采用德州仪器先进的130纳米CMOS制程，此为密度最高的FRAM产品，容量为既有FRAM内存的四倍。

　　FM22L16采用44接脚、薄型小尺寸塑料 (TSOP) 封装的3V、4Mb并列式非挥发性RAM，具备高存取速度、几乎无上限的读/写次数、以及低功耗等优点；其与异步静态RAM (SRAM)脚位兼容，并适用于诸如机器人、网络和数据储存应用、多功能事务机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计工业控制系统。

　　FM22L16为256K×16的非挥发性内存，以工业标准并列式接口进行存取，存取时间为55ns、周期为110ns。该组件以无延迟写入的总线速度进行读写操作，具备至少100兆次写入的耐久性，以及10年数据保存能力。

　　4兆位FRAM是标准异步SRAM的直接替代组件，并具更高性能，由于其进行数据备份时不需电池，并且为单晶构型，因此具备更高可靠性。FM22L16是真正的表面黏着解决方案，与SRAM不同的是，其不需与电池相连，不需重写步骤，并具备高度耐潮湿、抗冲击和振动特性。

　　通过与目前高效能微处理器连接的接口，FM22L16的高速页面模式可以高达40MHz的速度进行4字节突发读/写操作，总线速度远高于传统的RAM。该组件较标准SRAM具备更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16能于整个工业温度范围(-40℃至+85℃)内于2.7V至3.6V电压工作。

　　FM22L16现已可提供工程样品，并预计于2007年第三季限量供应、第四季开始量产。该组件采用符合RoHS要求的44接脚TSOP-II封装，以10,000件量购计，定价为19美元起。

参考资料：FRAM的运作原理

　　FRAM的技术核心是将微小的铁晶体管整合入电容内，使FRAM产品能运作如快速的非挥发性RAM。通过施加电场，铁晶体管的电极化在两个稳定状态之间变换，内部电路将此电极化的方向感测为高或低的逻辑状态，每个方向都是稳定的，即使在电场移除后仍保持不变，因此能将数据保存在内存中而不需要定期更新