英特尔公司日前宣布，从采用high-k金属闸极 (high-k metal gate)的45纳米 (nanometer)全系列产品开始，未来英特尔处理器都将采用100%无铅设计。
        英特尔45纳米high-k系列处理器包括下一代Intel Core 2 Duo (酷睿2双核)处理器、Core 2 Quad (酷睿2四核心)处理器和Xeon (至强)处理器等，英特尔预计将于今年下半年开始生产45纳米high-k处理器。

　　对此英特尔表示，我们正积极朝协助环境永续发展而努力，包含了全面采用无铅制程、重视产品能源效率运用、减少废气排放，以及大规模回收再利用水资源与制造材料等。
　　之前各种微电子封装 (package) ，及连接英特尔芯片与封装的凸块 (bumps) 都会使用铅。封装包覆在芯片外部，并连接至主板。为因应特定市场需求，包括笔记本型电脑、台式电脑和服务器等各式处理器，会采用不同种类的封装。无论是采用何种封装设计，如PGA (pin grid array)、BGA (ball grid array)和LGA (land grid array) 等方式，英特尔的45纳米high-k技术世代都将100%使用无铅设计。英特尔也将于2008年将 65纳米制程所制造的芯片组产品全面改采100%无铅技术。
　　英特尔的45纳米处理器不仅以无铅方式制造，同时也采用英特尔独有的high-k硅晶技术，减少晶体管漏电 (leakage)，催生耗电更少、性能更高的处理器。英特尔的45纳米high-k硅晶技术也包括第三代应变硅 (strained silicon)，可改善驱动电流，并利用低K值电介质 (low-k dielectrics)降低连接点电容效应，以提升性能和降低耗电。英特尔45纳米high-k系列处理器的最终目标，是引导业界朝向更轻薄短小、能源效率更高的台式电脑、笔记本型电脑、行动上网装置和服务器的设计。

无铅化的推广

　　数十年以来，电子零组件持续使用铅的原因是因为它具备适当的电气和机械特性。要寻找能满足性能和可靠性需求的铅替代材料是一大科学及技术挑战。
　　由于铅可能影响环境和公众健康，英特尔多年来一直与供货商和其它半导体及电子零组件公司合作，开发无铅解决方案，这是英特尔长期对环保承诺的一部份。2002年，英特尔推出了第一个采无铅方式制造的无铅闪存产品。自2004年开始，英特尔出货产品之含铅量较前一代微处理器和芯片组封装减少95%。       

      针对过往仍存于处理器封装的内部连接点 (interconnect) 第一层内的5% (约0.02克) 的含铅焊锡 (lead solder) – 焊点用来连接硅晶粒和封装基板 – 英特尔将以锡/银/铜合金 (tin/silver/copper alloy) 取代。英特尔解决方案的独特秘诀在于利用这些新材料来取代以铅 /锡为主的焊锡。由于英特尔先进硅晶技术含有复杂的连接结构，必须投入大量的工程资源，才能使英特尔处理器封装完全不使用铅，并推动整合新的焊锡合金系统。
　　英特尔工程师开发出使用新焊锡合金的封装制程，因此得以达成目标，产品同时展现高度性能、品质及可靠度，符合各界对英特尔零组件的期待。
　　英特尔长久以来支持环保不遗余力，此一理念由创始人摩尔 (Gordon Moore) 奠定基础。除了无铅产品之外，英特尔的厂房和营运也因应发展出多种环保最佳实务。英特尔的各项措施均将能源效率列入考量，从新世代无铅处理器使用的最小45纳米晶体管，和目前的高性能Intel Core 2 Duo处理器耗电减少达40%，到全面支持业界标准和公共政策等。这些众多范例包括：

●英特尔今年稍早将Intel StrataFlash Cellular Memory封装改采无卤素 (halogen-free)技术，且目前正在评估CPU封装采用无卤素防火剂 (flame retardants)。

●在英特尔倡导下，业界于1996年达成协议，减少半导体生产排放的全球暖化气体。现在英特尔也与欧盟合作，讨论科技产业要如何帮助欧盟达成 2020年温室效应气体排放减量20%的目标。

●英特尔正致力于减少产品制程使用和浪费的天然资源。在过去三年间，英特尔通过节约措施，减少用水量达90亿加仑，也减少全球暖化气体排放量，其总量相当于减少5万辆行使中汽车的排放量。

●英特尔已减少产品内使用的有害物质，化学药剂和固体废弃物回收再利用也达70%以上。

●英特尔将再生能源(renewable energy) 列为公司优先发展重点之一。英特尔是美国奥勒冈州最大的风力发电购买者，也是新墨西哥州最大的再生能源产业消费者。

●随着英特尔持续从8吋 (200毫米) 转换到12吋 (300毫米)晶圆，生产每一平方公分硅晶圆的耗水量即可减少约40%。